VG5SK8I052311 PM0N2000 新一代650V SiC MOSFET提高电动汽车应用的性能

　　M3S先进650 V SiC MOSFET技术概述

　　关键性能参数和品质因数

　　与竞争对手和前几代技术的比较

　　三相图腾柱PFC转换器设计的性能比较

　　白皮书概述

　　SiC MOSFETss比硅基MOSFET具有优势，包括更高的效率、更低的传导和开关损耗以及更好的热性能。M3S技术是onsemi第三代SiC MOSFETs的一部分，与前几代onsemi和竞争对手相比，它实现了更低的比导通电阻和更出色的开关性能。优势包括:

　　开关能量损耗降低31-42%

　　总体开关损耗降低35%

　　降低电容

　　更快的切换

　　较低的回收费用和能量

　　随着电动汽车系统对功率密度、效率和热性能的需求不断增长，M3S技术解决了关键的行业挑战。加上全面的产品组合，onsemi的M3S MOSFET为高效率功率转换提供了一个多功能和可靠的解决方案。